Condizione | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 100µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO251-3 |
Serie: | CoolMOS™ CE |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 950 mOhm @ 1.2A, 13V |
Dissipazione di potenza (max): | 53W (Tc) |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Altri nomi: | SP001292872 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 231pF @ 100V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.5nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 13V |
Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
Descrizione dettagliata: | N-Channel 500V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |