IPT65R105G7XTMA1
- Modello di prodotti:
- IPT65R105G7XTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- HIGH POWER_NEW
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 76129 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- IPT65R105G7XTMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 440µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-HSOF-8-2 |
| Serie: | CoolMOS™ C7 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 105 mOhm @ 8.9A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 156W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerSFN |
| Altri nomi: | IPT65R105G7XTMA1-ND IPT65R105G7XTMA1TR SP001456204 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1670pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 650V 24A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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