Condizione | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 30µA |
Vgs (Max): | ±16V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.3 mOhm @ 70A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 68W (Tc) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Altri nomi: | IPD70N03S4L-04 IPD70N03S4L-04-ND IPD70N03S4L-04TR IPD70N03S4L-04TR-ND IPD70N03S4L04 IPD70N03S4L04ATMA1TR SP000274986 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3300pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 48nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
Descrizione dettagliata: | N-Channel 30V 70A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
Email: | [email protected] |