IPB123N10N3GATMA1
- Modello di prodotti:
- IPB123N10N3GATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 10990 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- IPB123N10N3GATMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 46µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12.3 mOhm @ 46A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 94W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | IPB123N10N3 G IPB123N10N3 G-ND IPB123N10N3 GTR IPB123N10N3 GTR-ND IPB123N10N3G IPB123N10N3GATMA1TR SP000485968 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2500pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 100V 58A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 58A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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