HN4K03JUTE85LF
- Modello di prodotti:
- HN4K03JUTE85LF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 76232 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- HN4K03JUTE85LF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | USV |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12 Ohm @ 10mA, 2.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 200mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Altri nomi: | HN4K03JU(TE85L,F) HN4K03JUTE85LFTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 8.5pF @ 3V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 20V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount USV |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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