HN1B04FE-Y,LF
- Modello di prodotti:
- HN1B04FE-Y,LF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 52091 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- HN1B04FE-Y,LF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Tipo transistor: | NPN, PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ES6 |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 100mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-563, SOT-666 |
| Altri nomi: | HN1B04FE-Y(T5L,F,T HN1B04FE-Y(T5LFTTR HN1B04FE-Y(T5LFTTR-ND HN1B04FE-Y,LF(B HN1B04FE-Y,LF(T HN1B04FE-YLF(TTR HN1B04FE-YLF(TTR-ND HN1B04FE-YLFTR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 80MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 2mA, 6V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per HN1B04FE-Y,LF
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