GB01SLT12-252
- Modello di prodotti:
- GB01SLT12-252
- fabbricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrizione:
- DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 8021 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- GB01SLT12-252.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.8V @ 1A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 1200V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252 |
| Velocità: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 0ns |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | 1242-1126-6 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 19 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrizione dettagliata: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 1A Surface Mount TO-252 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 2µA @ 1200V |
| Corrente - raddrizzata media (Io): | 1A |
| Capacità a Vr, F: | 69pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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