FQD2N90TF
Modello di prodotti:
FQD2N90TF
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
36342 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.FQD2N90TF.pdf2.FQD2N90TF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:7.2 Ohm @ 850mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 50W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:FQD2N90TFDKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):900V
Descrizione dettagliata:N-Channel 900V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.7A (Tc)
Email:[email protected]

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