FQB5P20TM
FQB5P20TM
Modello di prodotti:
FQB5P20TM
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 200V 4.8A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
49151 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FQB5P20TM.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK (TO-263AB)
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:1.4 Ohm @ 2.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.13W (Ta), 75W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:430pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:P-Channel 200V 4.8A (Tc) 3.13W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.8A (Tc)
Email:[email protected]

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