FGA60N65SMD
FGA60N65SMD
Modello di prodotti:
FGA60N65SMD
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
IGBT 650V 120A 600W TO3P
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
7012 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FGA60N65SMD.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.5V @ 15V, 60A
Condizione di test:400V, 60A, 3 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:18ns/104ns
di scambio energetico:1.54mJ (on), 450µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3PN
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):47ns
Potenza - Max:600W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
Altri nomi:FGA60N65SMD-ND
FGA60N65SMDFS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:Field Stop
carica gate:189nC
Descrizione dettagliata:IGBT Field Stop 650V 120A 600W Through Hole TO-3PN
Corrente - collettore Pulsed (Icm):180A
Corrente - collettore (Ic) (max):120A
Email:[email protected]

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