FDMA2002NZ_F130
- Modello di prodotti:
- FDMA2002NZ_F130
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- INTEGRATED CIRCUIT
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 30838 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- FDMA2002NZ_F130.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-MicroFET (2x2) |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 650mW |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | 6-VDFN Exposed Pad |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 220pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 650mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.9A |
| Email: | [email protected] |
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