FDFM2N111
- Modello di prodotti:
- FDFM2N111
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 59966 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- FDFM2N111.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | MicroFET 3x3mm |
| Serie: | PowerTrench® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 100 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.7W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-MLP, Power33 |
| Altri nomi: | FDFM2N111-ND FDFM2N111TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 39 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 273pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 20V 4A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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