FDC655AN
FDC655AN
Modello di prodotti:
FDC655AN
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-SSOT
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
11716 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FDC655AN.pdf

introduzione

We can supply FDC655AN, use the request quote form to request FDC655AN pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number FDC655AN.The price and lead time for FDC655AN depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# FDC655AN.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SuperSOT™-6
Serie:PowerTrench®
Rds On (max) a Id, Vgs:27 mOhm @ 6.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:830pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 6.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.3A (Ta)
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti