FCB36N60NTM
FCB36N60NTM
Modello di prodotti:
FCB36N60NTM
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
28983 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
FCB36N60NTM.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D²PAK
Serie:SupreMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:90 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max):312W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:FCB36N60NTM-ND
FCB36N60NTMTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:44 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4785pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:112nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 36A (Tc) 312W (Tc) Surface Mount D²PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:36A (Tc)
Numero di parte base:FCB36N60
Email:[email protected]

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