EFC6612R-A-TF
- Modello di prodotti:
- EFC6612R-A-TF
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 30216 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- EFC6612R-A-TF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-CSP (1.77x3.54) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | - |
| Potenza - Max: | 2.5W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-SMD, No Lead |
| temperatura di esercizio: | - |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 2.5W Surface Mount 6-CSP (1.77x3.54) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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