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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > DRA2152Z0L
DRA2152Z0L
Modello di prodotti:
DRA2152Z0L
fabbricante:
Panasonic
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17126 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DRA2152Z0L.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:Mini3-G3-B
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):5.1 kOhms
Resistor - Base (R1):510 Ohms
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:DRA2152Z0L-ND
DRA2152Z0LTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:11 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:20 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Numero di parte base:DRA2152
Email:[email protected]

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