DN3765K4-G
- Modello di prodotti:
- DN3765K4-G
- fabbricante:
- Micrel / Microchip Technology
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 27772 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- DN3765K4-G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | - |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-252-3 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8 Ohm @ 150mA, 0V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | DN3765K4-G-ND DN3765K4-GTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 825pF @ 25V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Depletion Mode |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 0V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 650V 300mA (Tj) 2.5W (Ta) Surface Mount TO-252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 300mA (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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