DMT3009LDT-7
DMT3009LDT-7
Modello di prodotti:
DMT3009LDT-7
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
31212 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
DMT3009LDT-7.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:V-DFN3030-8 (Type K)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:11.1 mOhm @ 14.4A, 10V
Potenza - Max:1.2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-VDFN Exposed Pad
Altri nomi:DMT3009LDT-7-ND
DMT3009LDT-7DITR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1500pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 15V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 30A 1.2W Surface Mount V-DFN3030-8 (Type K)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30A
Email:[email protected]

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