DMN2016LHAB-7
- Modello di prodotti:
- DMN2016LHAB-7
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 39816 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- DMN2016LHAB-7.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.1V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | U-DFN2030-6 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 15.5 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 1.2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | DMN2016LHAB-7DITR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 20 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1550pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.5A 1.2W Surface Mount U-DFN2030-6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.5A |
| Email: | [email protected] |
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