DGD2101S8-13
- Modello di prodotti:
- DGD2101S8-13
- fabbricante:
- Diodes Incorporated
- Descrizione:
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17713 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- DGD2101S8-13.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tensione di alimentazione -: | 10 V ~ 20 V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | - |
| Tempo di salita / scadenza (Typ): | 70ns, 35ns |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | DGD2101S8-13DITR |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Frequenza di ingresso: | 2 |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| Tensione logica - VIL, VIH: | 0.8V, 2.5V |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Non-Inverting |
| Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap): | 600V |
| Tipo di porta: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Configurazione guidata: | Half-Bridge |
| Descrizione dettagliata: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO |
| Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore): | 290mA, 600mA |
| Base-Emitter Tensione di saturazione (max): | Independent |
| Email: | [email protected] |
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