DG636EN-T1-E4
- Modello di prodotti:
- DG636EN-T1-E4
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- IC SWITCH DUAL SPDT 16-MINIQFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 11197 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- DG636EN-T1-E4.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Alimentazione di tensione, singola (V +): | 2.7 V ~ 12 V |
| Alimentazione di tensione, Dual (V ±): | ±2.7 V ~ 5 V |
| Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max): | 60ns, 52ns |
| Circuito di commutazione: | SPDT |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 16-miniQFN (1.8x2.6) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 16-WFQFN |
| Altri nomi: | DG636EN-T1-E4TR DG636ENT1E4 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Resistenza sullo stato (Max): | 115 Ohm |
| Numero di circuiti: | 2 |
| Circuito di Multiplexer / Demultiplexer: | 2:1 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | 2 Circuit IC Switch 2:1 115 Ohm 16-miniQFN (1.8x2.6) |
| Corrente - perdita (IS (disattivato)) (massimo): | 100pA |
| crosstalk: | -88dB @ 10MHz |
| Iniezione di carica: | 0.1pC |
| Corrispondenza canale-canale (ΔRon): | 1 Ohm |
| Capacità canale (CS (disattivato), CD (disattivato): | 2.1pF, 4.2pF |
| Numero di parte base: | DG636 |
| -3 dB Larghezza di banda: | 610MHz |
| Email: | [email protected] |
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