DG2517EDN-T1-GE4
DG2517EDN-T1-GE4
Modello di prodotti:
DG2517EDN-T1-GE4
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
IC SWITCH DUAL SPDT 10DFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
36009 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.DG2517EDN-T1-GE4.pdf2.DG2517EDN-T1-GE4.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Alimentazione di tensione, singola (V +):1.8 V ~ 5.5 V
Alimentazione di tensione, Dual (V ±):-
Tempo di commutazione (Ton, Toff) (Max):40ns, 33ns
Circuito di commutazione:SPDT
Contenitore dispositivo fornitore:10-DFN (3x3)
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:10-VFDFN Exposed Pad
Altri nomi:DG2517EDN-T1-GE4-ND
DG2517EDN-T1-GE4TR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Resistenza sullo stato (Max):3.1 Ohm
Numero di circuiti:2
Circuito di Multiplexer / Demultiplexer:2:1
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:2 Circuit IC Switch 2:1 3.1 Ohm 10-DFN (3x3)
Corrente - perdita (IS (disattivato)) (massimo):-
crosstalk:-62dB @ 1MHz
Iniezione di carica:-19.4pC
Corrispondenza canale-canale (ΔRon):10 mOhm
Capacità canale (CS (disattivato), CD (disattivato):-
-3 dB Larghezza di banda:221MHz
Email:[email protected]

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