Condizione | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (max) a Id: | 950mV @ 250µA |
Vgs (Max): | -6V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | 3-PICOSTAR |
Serie: | FemtoFET™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 35 mOhm @ 1A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max): | 500mW (Ta) |
imballaggio: | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro: | 3-XFDFN |
Altri nomi: | 296-44809-1 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
Produttore tempi di consegna standard: | 35 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 628pF @ 6V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.2nC @ 4.5V |
Tipo FET: | P-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
Descrizione dettagliata: | P-Channel 12V 5.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.4A (Ta) |
Email: | [email protected] |