Condizione | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 105mA |
Contenitore dispositivo fornitore: | Module |
Serie: | Z-REC™ |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.3 mOhm @ 400A, 20V |
Potenza - Max: | 3000W |
imballaggio: | Bulk |
Contenitore / involucro: | Module |
temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | Not Applicable |
Produttore tempi di consegna standard: | 52 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 1127nC @ 20V |
Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET: | Silicon Carbide (SiC) |
Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 444A (Tc) 3000W Module |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 444A (Tc) |
Email: | [email protected] |