BSO615NGHUMA1
- Modello di prodotti:
- BSO615NGHUMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 27667 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- BSO615NGHUMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 20µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-DSO-8 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 2W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | BSO615N G BSO615N G-ND BSO615NG BSO615NGHUMA1TR BSO615NGINTR-ND BSO615NGT BSO615NGXT BSO615NT BSO615NXTINTR BSO615NXTINTR-ND SP000216316 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.6A |
| Numero di parte base: | BSO615 |
| Email: | [email protected] |
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