Condizione | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | TO-92-18RM |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 800mW (Ta) |
imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Altri nomi: | BS250KL-T1-E3 BS250KL-T1-E3TR BS250KL-T1-E3TR-ND BS250KL-TR1-E3TR |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3nC @ 15V |
Tipo FET: | P-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
Descrizione dettagliata: | P-Channel 60V 270mA (Ta) 800mW (Ta) Through Hole TO-92-18RM |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 270mA (Ta) |
Email: | [email protected] |