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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > BLF7G27L-75P,112
BLF7G27L-75P,112
BLF7G27L-75P,112
Modello di prodotti:
BLF7G27L-75P,112
fabbricante:
Ampleon
Descrizione:
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
33409 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
BLF7G27L-75P,112.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - Prova:28V
Tensione - nominale:65V
Tipo transistor:LDMOS (Dual), Common Source
Contenitore dispositivo fornitore:LDMOST
Serie:-
Alimentazione - uscita:12W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-1121A
Altri nomi:934064556112
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:17dB
Frequenza:2.3GHz ~ 2.4GHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 650mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 17dB 12W LDMOST
Valutazione attuale:18A
Corrente - Test:650mA
Numero di parte base:BLF7G27
Email:[email protected]

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Parti relative per BLF7G27L-75P,112

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
BLF7G27L-100,118 Image BLF7G27L-100,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A Inchiesta
BLF7G27L-140,112 Image BLF7G27L-140,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A Inchiesta
BLF7G27LS-75P,112 Image BLF7G27LS-75P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B Inchiesta
BLF7G27LS-140,118 Image BLF7G27LS-140,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B Inchiesta
BLF7G27L-140,118 Image BLF7G27L-140,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A Inchiesta
BLF7G27L-135,118 Image BLF7G27L-135,118 Ampleon TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502A Inchiesta
BLF7G27L-100,112 Image BLF7G27L-100,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A Inchiesta
BLF7G27L-150P,112 Image BLF7G27L-150P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539A Inchiesta
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