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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > BLF7G24L-100,118
BLF7G24L-100,118
BLF7G24L-100,118
Modello di prodotti:
BLF7G24L-100,118
fabbricante:
Ampleon
Descrizione:
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
37752 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.BLF7G24L-100,118.pdf2.BLF7G24L-100,118.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - Prova:28V
Tensione - nominale:65V
Tipo transistor:LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore:LDMOST
Serie:-
Alimentazione - uscita:20W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-502A
Altri nomi:934064627118
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:18dB
Frequenza:2.3GHz ~ 2.4GHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 18dB 20W LDMOST
Valutazione attuale:28A
Corrente - Test:900mA
Numero di parte base:BLF7G24
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
BLF7G22L-250P,118 Image BLF7G22L-250P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A Inchiesta
BLF7G22LS-200,118 Image BLF7G22LS-200,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B Inchiesta
BLF7G24LS-160P,112 Image BLF7G24LS-160P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B Inchiesta
BLF7G24L-160P,112 Image BLF7G24L-160P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A Inchiesta
BLF7G22LS-160,112 Image BLF7G22LS-160,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B Inchiesta
BLF7G22LS-250P,112 Image BLF7G22LS-250P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B Inchiesta
BLF7G24L-140,118 Image BLF7G24L-140,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A Inchiesta
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BLF7G22LS-200,112 Image BLF7G22LS-200,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B Inchiesta
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BLF7G24L-160P,118 Image BLF7G24L-160P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A Inchiesta
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