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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-RF > BLA6H1011-600,112
BLA6H1011-600,112
BLA6H1011-600,112
Modello di prodotti:
BLA6H1011-600,112
fabbricante:
Ampleon
Descrizione:
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
31177 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
BLA6H1011-600,112.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - Prova:48V
Tensione - nominale:100V
Tipo transistor:LDMOS (Dual), Common Source
Contenitore dispositivo fornitore:SOT539A
Serie:-
Alimentazione - uscita:600W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SOT539A
Altri nomi:1603-1000
568-7546
568-7546-ND
934063449112
BLA6H1011-600,112-ND
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:13 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Guadagno:17dB
Frequenza:1.03GHz ~ 1.09GHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 48V 100mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 17dB 600W SOT539A
Valutazione attuale:72A
Corrente - Test:100mA
Email:[email protected]

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Parti relative per BLA6H1011-600,112

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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BLA1011S-200R,112 Image BLA1011S-200R,112 Ampleon RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B Inchiesta
BLA8G1011LS-300U Image BLA8G1011LS-300U Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B Inchiesta
BLA1011-300,112 Image BLA1011-300,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT957A Inchiesta
BLA9G1011L-300U Image BLA9G1011L-300U Ampleon RF MOSFET LDMOS 32V SOT502A Inchiesta
BLA9G1011LS-300U Image BLA9G1011LS-300U Ampleon RF MOSFET LDMOS 32V SOT502B Inchiesta
BLA6G1011LS-200RG, Image BLA6G1011LS-200RG, Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C Inchiesta
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BLA8G1011L-300U Image BLA8G1011L-300U Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A Inchiesta
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