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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > BDT61C-S
BDT61C-S
Modello di prodotti:
BDT61C-S
fabbricante:
Bourns, Inc.
Descrizione:
TRANS NPN DARL 120V 4A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14555 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
BDT61C-S.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):120V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:2.5V @ 6mA, 1.5A
Tipo transistor:NPN - Darlington
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220
Serie:-
Potenza - Max:2W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 4A 2W Through Hole TO-220
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:750 @ 1.5A, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max):500µA
Corrente - collettore (Ic) (max):4A
Email:[email protected]

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