AUIRF7341Q
- Modello di prodotti:
- AUIRF7341Q
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 62030 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- AUIRF7341Q.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 50 mOhm @ 5.1A, 10V |
| Potenza - Max: | 2.4W |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | SP001520152 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 780pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 44nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.1A |
| Email: | [email protected] |
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