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APTM50H14FT3G
APTM50H14FT3G
Modello di prodotti:
APTM50H14FT3G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
50329 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APTM50H14FT3G.pdf2.APTM50H14FT3G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:168 mOhm @ 13A, 10V
Potenza - Max:208W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP3
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3259pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:72nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):500V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 26A 208W Chassis Mount SP3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:26A
Email:[email protected]

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