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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APTM20UM09SG
APTM20UM09SG
Modello di prodotti:
APTM20UM09SG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 195A J3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
7608 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
APTM20UM09SG.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:Module
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:9 mOhm @ 74.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):780W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:J3 Module
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:12300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:217nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 200V 195A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount Module
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:195A (Tc)
Email:[email protected]

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