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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > APTM120A20DG
APTM120A20DG
Modello di prodotti:
APTM120A20DG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
41502 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
APTM120A20DG.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 6mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:240 mOhm @ 25A, 10V
Potenza - Max:1250W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP6
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:15200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:600nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 50A 1250W Chassis Mount SP6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:50A
Email:[email protected]

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