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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > APTM10HM09FTG
APTM10HM09FTG
Modello di prodotti:
APTM10HM09FTG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
66276 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APTM10HM09FTG.pdf2.APTM10HM09FTG.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 2.5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP4
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 69.5A, 10V
Potenza - Max:390W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP4
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:9875pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:350nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP4
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:139A
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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