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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APTGT35H120T3G
APTGT35H120T3G
Modello di prodotti:
APTGT35H120T3G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
73094 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APTGT35H120T3G.pdf2.APTGT35H120T3G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.1V @ 15V, 35A
Contenitore dispositivo fornitore:SP3
Serie:-
Potenza - Max:208W
Contenitore / involucro:SP3
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Termistore NTC:Yes
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:2.5nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:Trench Field Stop
Descrizione dettagliata:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 55A 208W Chassis Mount SP3
Corrente - Cutoff collettore (max):250µA
Corrente - collettore (Ic) (max):55A
Configurazione:Full Bridge Inverter
Email:[email protected]

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Parti relative per APTGT35H120T3G

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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