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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT6017LLLG
APT6017LLLG
APT6017LLLG
Modello di prodotti:
APT6017LLLG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
59659 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
APT6017LLLG.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - Prova:4500pF @ 25V
Tensione - Ripartizione:TO-264 [L]
Vgs (th) (max) a Id:170 mOhm @ 17.5A, 10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Serie:POWER MOS 7®
Stato RoHS:Tube
Rds On (max) a Id, Vgs:35A (Tc)
Polarizzazione:TO-264-3, TO-264AA
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:APT6017LLLG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:100nC @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:5V @ 2.5mA
Caratteristica FET:N-Channel
Descrizione espansione:N-Channel 600V 35A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 35A TO-264
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:600V
rapporto di capacità:500W (Tc)
Email:[email protected]

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