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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT19F100J
APT19F100J
APT19F100J
Modello di prodotti:
APT19F100J
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
32369 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APT19F100J.pdf2.APT19F100J.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ISOTOP®
Serie:POWER MOS 8™
Rds On (max) a Id, Vgs:440 mOhm @ 16A, 10V
Dissipazione di potenza (max):460W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:8500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:260nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1000V
Descrizione dettagliata:N-Channel 1000V 20A (Tc) 460W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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