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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > APT10045B2LLG
APT10045B2LLG
APT10045B2LLG
Modello di prodotti:
APT10045B2LLG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
49580 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APT10045B2LLG.pdf2.APT10045B2LLG.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:T-MAX™ [B2]
Serie:POWER MOS 7®
Rds On (max) a Id, Vgs:450 mOhm @ 11.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):565W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3 Variant
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4350pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:154nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1000V
Descrizione dettagliata:N-Channel 1000V 23A (Tc) 565W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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