ALD1110EPAL
- Modello di prodotti:
- ALD1110EPAL
- fabbricante:
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 29334 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- ALD1110EPAL.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.01V @ 1µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-PDIP |
| Serie: | EPAD® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 500 Ohm @ 5V |
| Potenza - Max: | 600mW |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2.5pF @ 5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 10V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Through Hole 8-PDIP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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