A2T08VD020NT1
Modello di prodotti:
A2T08VD020NT1
fabbricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione:
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
quantità disponibile:
56098 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
A2T08VD020NT1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - Prova:48V
Tensione - nominale:105V
Tipo transistor:LDMOS
Contenitore dispositivo fornitore:24-PQFN-EP (8x8)
Serie:-
Alimentazione - uscita:18W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:24-QFN Exposed Pad
Altri nomi:935322283528
Figura di rumore:-
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Guadagno:19.1dB
Frequenza:728MHz ~ 960MHz
Descrizione dettagliata:RF Mosfet LDMOS 48V 40mA 728MHz ~ 960MHz 19.1dB 18W 24-PQFN-EP (8x8)
Valutazione attuale:10µA
Corrente - Test:40mA
Email:[email protected]

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