3SK263-5-TG-E
- Modello di prodotti:
- 3SK263-5-TG-E
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- FET RF 15V 200MHZ CP4
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 61869 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 3SK263-5-TG-E.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tensione - Prova: | 6V |
| Tensione - nominale: | 15V |
| Tipo transistor: | N-Channel Dual Gate |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-CP |
| Serie: | - |
| Alimentazione - uscita: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-253-4, TO-253AA |
| Altri nomi: | 3SK263-5-TG-E-ND 3SK263-5-TG-EOSTR |
| Figura di rumore: | 2.2dB |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Guadagno: | 21dB |
| Frequenza: | 200MHz |
| Descrizione dettagliata: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 200MHz 21dB 4-CP |
| Valutazione attuale: | 30mA |
| Corrente - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 3SK263-5-TG-E
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