2SC3646T-P-TD-E
- Modello di prodotti:
- 2SC3646T-P-TD-E
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- TRANS NPN 100V 1A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15474 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 2SC3646T-P-TD-E.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 100V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 400mV @ 40mA, 400mA |
| Tipo transistor: | NPN |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PCP |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 500mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-243AA |
| temperatura di esercizio: | - |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 120MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 120MHz 500mW Surface Mount PCP |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 200 @ 100mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 2SC3646T-P-TD-E
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