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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N3439U4
2N3439U4
Modello di prodotti:
2N3439U4
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
NPN TRANSISTOR
Stato Lead senza piombo / RoHS:
RoHS non conforme
quantità disponibile:
51729 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
2N3439U4.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):350V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:500mV @ 4mA, 50mA
Tipo transistor:NPN
Contenitore dispositivo fornitore:U4
Serie:-
Stato RoHS:RoHS non-compliant
Potenza - Max:800mW
Contenitore / involucro:3-SMD, No Lead
temperatura di esercizio:-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 1A 800mW Surface Mount U4
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:40 @ 20mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):2µA
Corrente - collettore (Ic) (max):1A
Email:[email protected]

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