1N8026-GA
1N8026-GA
Modello di prodotti:
1N8026-GA
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
36708 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1N8026-GA.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.6V @ 2.5A
Tensione - inversa (Vr) (max):1200V
Contenitore dispositivo fornitore:TO-257
Velocità:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):0ns
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-257-3
Altri nomi:1242-1113
1N8026GA
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-55°C ~ 250°C
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo:Silicon Carbide Schottky
Descrizione dettagliata:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 8A (DC) Through Hole TO-257
Corrente - Dispersione inversa a Vr:10µA @ 1200V
Corrente - raddrizzata media (Io):8A (DC)
Capacità a Vr, F:237pF @ 1V, 1MHz
Numero di parte base:1N8026
Email:[email protected]

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