Italia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Su di noi | Contatto | Richiedi un preventivo |
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > 1N3671A
1N3671A
Modello di prodotti:
1N3671A
fabbricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
58632 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.1N3671A.pdf2.1N3671A.pdf
Inchiesta

introduzione

We can supply 1N3671A, use the request quote form to request 1N3671A pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number 1N3671A.The price and lead time for 1N3671A depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# 1N3671A.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - Picco inversa (max):Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:12A
Tensione - Ripartizione:DO-4
Serie:-
Stato RoHS:Bulk
Tempo di ripristino inverso (trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistenza a If, F:-
Polarizzazione:DO-203AA, DO-4, Stud
Altri nomi:1N3671AGN
Tipo montaggio:Chassis, Stud Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:1N3671A
Descrizione espansione:Diode Standard 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
Configurazione diodo:10µA @ 50V
Descrizione:DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1.1V @ 12A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):800V
Capacità a Vr, F:-65°C ~ 200°C
Email:[email protected]

Richiesta rapida citazione

Modello di prodotti
Quantità
Azienda
E-mail
Numero di telefono
Note / Commenti

Parti relative per 1N3671A

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
1N3643 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 250MA AXIAL Inchiesta
1N3673 Microsemi STANDARD RECTIFIER Inchiesta
1N3671AR Microsemi STANDARD RECTIFIER Inchiesta
1N3735R Powerex, Inc. RECTIFIER STUD MOUNT DO-9 Inchiesta
1N3735 Powerex, Inc. RECTIFIER STUD MOUNT DO-9 Inchiesta
1N3646 Semtech DIODE GEN PURP 2.5KV 600MA AXIAL Inchiesta
1N3673A Microsemi STANDARD RECTIFIER Inchiesta
1N3644 Semtech MIL, QPL PART, 0.250A. 1500V REC Inchiesta
1N3673A Image 1N3673A GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 Inchiesta
1N3671 Microsemi STANDARD RECTIFIER Inchiesta
1N3614GP-M3/54 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURPOSE DO-204AL Inchiesta
1N3647 Semtech DIODE GEN PURP 3KV 600MA AXIAL Inchiesta
1N3672 Microsemi STANDARD RECTIFIER Inchiesta
1N3645 Semtech DIODE GEN PURP 2KV 600MA AXIAL Inchiesta
1N3673AR Microsemi STANDARD RECTIFIER Inchiesta
1N3645 Microsemi DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL Inchiesta
1N3646 Microsemi DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL Inchiesta
1N3671AR Image 1N3671AR GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 Inchiesta
1N3673AR Image 1N3673AR GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4 Inchiesta
1N3614GP-M3/73 Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE GEN PURPOSE DO-204AL Inchiesta

Latest Notizie