Indonesia
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Tentang kami | Hubungi kami | Permintaan Penawaran |
Rumah > Produk > Produk Semikonduktor Diskrit > Transistor - FET, MOSFET - Tunggal > EPC2012CENGR
EPC2012CENGR
EPC2012CENGR
Nomor bagian:
EPC2012CENGR
Pabrikan:
EPC
Deskripsi:
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Memimpin Status Bebas / Status RoHS:
Memimpin bebas / RoHS Compliant
Kuantitas yang Tersedia:
72541 Pieces
Waktu pengiriman:
1-2 days
Lembaran data:
EPC2012CENGR.pdf
Penyelidikan

pengantar

We can supply EPC2012CENGR, use the request quote form to request EPC2012CENGR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2012CENGR.The price and lead time for EPC2012CENGR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2012CENGR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spesifikasi

Kondisi New & Unused, Original Packing
Asal Contact us
Tegangan - Uji:100pF @ 100V
Tegangan - Breakdown:Die Outline (4-Solder Bar)
Vgs (th) (Max) @ Id:100 mOhm @ 3A, 5V
Teknologi:GaNFET (Gallium Nitride)
Seri:eGaN®
Status RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds Pada (Max) @ Id, Vgs:5A (Ta)
Polarisasi:Die
Nama lain:917-EPC2012CENGRTR
Suhu Operasional:-40°C ~ 150°C (TJ)
mount Jenis:Surface Mount
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL):1 (Unlimited)
Nomor Bagian Produsen:EPC2012CENGR
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS:1nC @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 1mA
Fitur FET:N-Channel
Deskripsi yang Diperluas:N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar)
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss):-
Deskripsi:TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:200V
kapasitansi Ratio:-
Email:[email protected]

Cepat Permintaan Penawaran

Nomor bagian
Kuantitas
Perusahaan
E-mail
Telepon
Komentar

bagian terkait untuk EPC2012CENGR

Gambar Nomor bagian Produsen Deskripsi Melihat
EPC1PI8N Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP Penyelidikan
EPC2012C Image EPC2012C EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2007 Image EPC2007 EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2012 Image EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2010C Image EPC2010C EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2010 Image EPC2010 EPC TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2007C Image EPC2007C EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2019ENG Image EPC2019ENG EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Penyelidikan
EPC2001 Image EPC2001 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE Penyelidikan

Latest Berita