SI4500BDY-T1-E3
Cikkszám:
SI4500BDY-T1-E3
Gyártó:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Leírás:
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
29551 Pieces
Szállítási idő:
1-2 days
Adatlap:
SI4500BDY-T1-E3.pdf

Bevezetés

We can supply SI4500BDY-T1-E3, use the request quote form to request SI4500BDY-T1-E3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SI4500BDY-T1-E3.The price and lead time for SI4500BDY-T1-E3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SI4500BDY-T1-E3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Műszaki adatok

Feltétel New & Unused, Original Packing
Eredet Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Szállító eszközcsomag:8-SO
Sorozat:TrenchFET®
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Teljesítmény - Max:1.3W
Csomagolás:Cut Tape (CT)
Csomagolás / tok:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Más nevek:SI4500BDY-T1-E3CT
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Surface Mount
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
Ólommentes állapot / RoHS állapot:Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:-
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 4.5V
FET típus:N and P-Channel, Common Drain
FET funkció:Logic Level Gate
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):20V
Részletes leírás:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 20V 6.6A, 3.8A 1.3W Surface Mount 8-SO
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:6.6A, 3.8A
Alap rész száma:SI4500
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások