Magyarország
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Rólunk | Lépjen kapcsolatba velünk | Árajánlatot kér |
Otthon > Termékek > Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET, MOSFET - Egyedülálló > R6030ENZC8
R6030ENZC8
R6030ENZC8
Cikkszám:
R6030ENZC8
Gyártó:
LAPIS Semiconductor
Leírás:
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF
Ólommentes állapot / RoHS állapot:
Ólommentes / RoHS megfelelő
elérhető mennyiség:
74242 Pieces
Szállítási idő:
1-2 days
Adatlap:
R6030ENZC8.pdf
Vizsgálat

Bevezetés

We can supply R6030ENZC8, use the request quote form to request R6030ENZC8 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R6030ENZC8.The price and lead time for R6030ENZC8 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R6030ENZC8.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Műszaki adatok

Feltétel New & Unused, Original Packing
Eredet Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-3PF
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:130 mOhm @ 14.5A, 10V
Teljesítményleadás (Max):120W (Tc)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-3P-3 Full Pack
Üzemi hőmérséklet:150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:17 Weeks
Ólommentes állapot / RoHS állapot:Lead free / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):600V
Részletes leírás:N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások

Kapcsolódó alkatrészek az R6030ENZC8-hoz

Kép Cikkszám Gyártók Leírás Kilátás
R6030435ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB Vizsgálat
R6030622PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB Vizsgálat
R6031225HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 Vizsgálat
R6031035ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 Vizsgálat
R6030825HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB Vizsgálat
R6030625HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB Vizsgálat
R6030ENZ1C9 Image R6030ENZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO247 Vizsgálat
R6030KNZC8 Image R6030KNZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF Vizsgálat
R6030MNX Image R6030MNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM Vizsgálat
R6030835ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB Vizsgálat
R6030KNXC7 Image R6030KNXC7 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM Vizsgálat
R6031222PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205 Vizsgálat
R6031022PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 Vizsgálat
R6030KNZ1C9 Image R6030KNZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 Vizsgálat
R6030822PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB Vizsgálat
R6030KNX Image R6030KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM Vizsgálat
R6031025HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 Vizsgálat
R6030425HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB Vizsgálat
R6030635ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB Vizsgálat
R6030ENX Image R6030ENX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220 Vizsgálat

Latest News