Feltétel | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Eredet | Contact us |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.8V @ 150µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technológia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Szállító eszközcsomag: | DIRECTFET™ MN |
Sorozat: | HEXFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 13 mOhm @ 10.3A, 10V |
Teljesítményleadás (Max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | DirectFET™ Isometric MN |
Más nevek: | IRF6644TRPBFTR SP001563476 |
Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 2210pF @ 25V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 47nC @ 10V |
FET típus: | N-Channel |
FET funkció: | - |
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva): | 10V |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 100V |
Részletes leírás: | N-Channel 100V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 10.3A (Ta), 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |